消费电子市场的火爆场面拉动了快充的内需，而快充的兴起也带动了MOSFET的需求增长。

用于整流同步的MOS管，可以保证在快充电源提高电压来达到高电流高功率充电时的用电安全性。快充中的MOS管显得尤为重要，而低电压高电流充电的“闪充”对整流同步的MOS管要求更为严苛，MOS管用量也呈上升趋势。

惠海半导体针对电子设备的续航问题开发定制快充电源中MOS管应用。采用三段式充电和四开关管升降压电路，并且选用了惠海半导体的场效应管，实现了兼容性强的大功率快充功能，充放电效率大于等于93%，具有外围器件需求小，电转换效率率高，延长锂电池寿命等优点。

★MOS管主要参数★

MOS管型号：HG5511D

参数：60V 40A

封装：DFN3333

内阻：11mR(Vgs=10V)  14mR(Vgs=4.5V)

结电容：550pF

开启电压：1.8V

应用领域：车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能源、舞台灯照明、加湿器、美容仪等电压开关应用。

【高频率 大电流 SGT工艺 开关损耗小】