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回复于 2018-08-30
沙发
此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC)
MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V 和 –4V 输出电压以及 1W
输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器实现了增强型隔离,可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS
隔离电压以及超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。此参考设计包含两级关断电路,可在短路情况下保护 MOSFET
抵御电压过冲。DESAT 检测阈值和第二级关断延迟时间是可配置的。此设计采用 ISO7721-Q1 数字隔离器来连接故障信号和复位信号
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回复于 2018-08-30
2#
- 用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案
- 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力,适用于驱动 SiC MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT,开关频率高达 500kHz
- 紧凑高效的内置隔离式偏置电源(具有 15V 和 –4V 输出)
- 分立式两级关断功能可实现短路保护,具有可调的电流限制和延迟(消隐)时间
- 提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增强的 8kV 峰值电压和 5.7kV RMS 电压隔离
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