首页 论坛 原厂专区 TI MCU 具有两级关断保护功能的汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计

发帖 回复

[分享] 具有两级关断保护功能的汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计
594 查看
9 回复
 楼主 | 发布于 2018-08-30 | 只看楼主
分享到:

具有两级关断保护功能的汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计

(0 ) (0 )
回复 举报

楼主 | 回复于 2018-08-30 沙发

此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V 和 –4V 输出电压以及 1W 输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器实现了增强型隔离,可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS 隔离电压以及超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。此参考设计包含两级关断电路,可在短路情况下保护 MOSFET 抵御电压过冲。DESAT 检测阈值和第二级关断延迟时间是可配置的。此设计采用 ISO7721-Q1 数字隔离器来连接故障信号和复位信号
(0 )
评论 (0) 举报

楼主 | 回复于 2018-08-30 2#

  • 用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力,适用于驱动 SiC MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT,开关频率高达 500kHz
  • 紧凑高效的内置隔离式偏置电源(具有 15V 和 –4V 输出)
  • 分立式两级关断功能可实现短路保护,具有可调的电流限制和延迟(消隐)时间
  • 提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增强的 8kV 峰值电压和 5.7kV RMS 电压隔离
(0 )
评论 (0) 举报

回复于 2018-08-30 3#

不错,感谢分享;
(0 )
评论 (0) 举报

回复于 2018-08-31 4#

感谢分享
(0 )
评论 (0) 举报

回复于 2018-08-31 5#

感谢分享
(0 )
评论 (0) 举报

回复于 2018-08-31 6#

谢谢分享!!!!
(0 )
评论 (0) 举报

回复于 2018-09-04 7#

多谢分享!!!
(0 )
评论 (0) 举报

回复于 2018-09-15 8#

支持下,谢谢分享
(0 )
评论 (0) 举报

回复于 2018-10-19 9#

感谢分享,有需要机器人方案的可联系我,相互学习,共同进步
(0 )
评论 (0) 举报
  • 发表回复
    0/3000





    举报

    请选择举报类别

    • 广告垃圾
    • 违规内容
    • 恶意灌水
    • 重复发帖

    全部板块

    返回顶部