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SI24R2F集成NVM的超低功耗高性能远距离700-800米传输距离可调
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厂家：南京中科微
标准包装：4000
封装/外壳：QFN
集成NVM的超低功耗高性能2.4GHz GFSK无线发射芯片SI24R2F
SI24R2F的由来：
SI24R2F是在SI24R1的基础上，单独分出来发射部分TX，成为一颗2.4G 单TX芯片。可与NRF24L01P以及SI24R1通信，替代NRF2402以及A7105。与SI24R1的性能对比上来讲，SI24R2E只是比SI24R1少了一个接收端的功能，另外发射端是完全一样的。而且关断功耗变的更低了，从原来的1500nA变为只有500nA。其余几乎都一样，性价比也远远比A7325，NRF2402更高。
SI24R2F的功能概述：
Si24R2F是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗有源RFID应用场合设计，集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、64次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。自动发射模式下，最多支持4个不同信道发射。最高10MHz四线SPI接口。
Si24R2F采用GFSK/FSK数字调制与解调技术。数据传输速率与PA输出功率都可以调节，支持2Mbps,1Mbps,250Kbps三种数据速率。高的数据速率可以在更短的时间完成同样的数据收发，因此可以具有更低的功耗。
Si24R2F针对低功耗应用场合进行了特别优化，在关断模式下，所有寄存器值与FIFO值保持不变，关断电流为小于300nA；在待机模式下，时钟保持工作，电流为18.5uA，并且可以在最长130uS时间内开始数据的收发。
当打开启自动发射功能，内部Watchdog与内部RCOSC工作时，芯片睡眠状态下待机电流仅为300nA。当内部Timer定时到时，自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态，因此Si24R2F的平均功耗非常低，对于电池供电应用，可以非常容易实现五年以上的待机时间。
Si24R2F内置电源监测与防拆解自动报警电路还集成温度监测功能。电源监测电路在每次自动发射数据时，实时监测电源电压，当电源电压低于设定值时，数据包指定字节位置数据自动更改成报警值，并自动发送。防拆解自动报警电路专为有源卡应用设计，在自动发射模式（ATR）下，通过 CE脚电压变化监测有源卡的状态，与电源监测电路相似，当监测到CE电压从低到高跳变时，立即发送报警包,并锁定芯片。
Si24R2F操作方式非常方便，可以不需要外部MCU，可以自动完成数据装载与发射。
NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持 10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为64次，芯片支持NMV加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。
Si24R2F也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要额外接口，外部微控制器（MCU）通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射，芯片完全兼容Si24R1发射功能，在不打开自动发射功能时，芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。
Si24R2F具有非常低的系统应用成本，可以不需要外部 MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。
标准包装：4000
封装/外壳：QFN
集成NVM的超低功耗高性能2.4GHz GFSK无线发射芯片SI24R2F
SI24R2F的由来：
SI24R2F是在SI24R1的基础上，单独分出来发射部分TX，成为一颗2.4G 单TX芯片。可与NRF24L01P以及SI24R1通信，替代NRF2402以及A7105。与SI24R1的性能对比上来讲，SI24R2E只是比SI24R1少了一个接收端的功能，另外发射端是完全一样的。而且关断功耗变的更低了，从原来的1500nA变为只有500nA。其余几乎都一样，性价比也远远比A7325，NRF2402更高。
SI24R2F的功能概述：
Si24R2F是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗有源RFID应用场合设计，集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、64次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。自动发射模式下，最多支持4个不同信道发射。最高10MHz四线SPI接口。
Si24R2F采用GFSK/FSK数字调制与解调技术。数据传输速率与PA输出功率都可以调节，支持2Mbps,1Mbps,250Kbps三种数据速率。高的数据速率可以在更短的时间完成同样的数据收发，因此可以具有更低的功耗。
Si24R2F针对低功耗应用场合进行了特别优化，在关断模式下，所有寄存器值与FIFO值保持不变，关断电流为小于300nA；在待机模式下，时钟保持工作，电流为18.5uA，并且可以在最长130uS时间内开始数据的收发。
当打开启自动发射功能，内部Watchdog与内部RCOSC工作时，芯片睡眠状态下待机电流仅为300nA。当内部Timer定时到时，自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态，因此Si24R2F的平均功耗非常低，对于电池供电应用，可以非常容易实现五年以上的待机时间。
Si24R2F内置电源监测与防拆解自动报警电路还集成温度监测功能。电源监测电路在每次自动发射数据时，实时监测电源电压，当电源电压低于设定值时，数据包指定字节位置数据自动更改成报警值，并自动发送。防拆解自动报警电路专为有源卡应用设计，在自动发射模式（ATR）下，通过 CE脚电压变化监测有源卡的状态，与电源监测电路相似，当监测到CE电压从低到高跳变时，立即发送报警包,并锁定芯片。
Si24R2F操作方式非常方便，可以不需要外部MCU，可以自动完成数据装载与发射。
NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持 10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为64次，芯片支持NMV加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。
Si24R2F也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要额外接口，外部微控制器（MCU）通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射，芯片完全兼容Si24R1发射功能，在不打开自动发射功能时，芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。
Si24R2F具有非常低的系统应用成本，可以不需要外部 MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。
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