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XM8A51216外扩SRAM
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XRAM是一种新的存储器体系结构，旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新体系结构，显着提高了存储器密度，性能并简化了用户界面。
XM8A51216是星忆存储科技公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该国产SRAM芯片具有如下几个特点：
⚫高速。具有最高访问速度10/12ns。
⚫低功耗。
⚫TTL电平兼容。
⚫全静态操作。不需要刷新和时钟电路。
⚫三态输出。
⚫字节控制功能。支持高/低字节控制。
XM8A51216功能框图
图中A0~18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15为数据线，总共16根数据线。CEn是芯片使能信号，低电平有效；OEn是输出使能信号，低电平有效；WEn是写使能信号，低电平有效；BLEn和BHEn分别是高字节控制和低字节控制信号；
XM8A51216原理图
XM8A51216在功能上等效于异步SRAM，是一种高性能8Mbit CMOS存储器，组织为512K字乘16位和1024K字乘8位，支持异步SRAM存储器接口。代理商英尚微电子支持产品相关技术支持及解决方案。
要写入设备，请将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入设为低电平。如果字节低使能（BLE）为低，则来自I/O引脚（DQ0至DQ7）的数据被写入地址引脚（A0至A18）上指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（DQ8至DQ15）的数据将写入地址引脚（A0至A18）上指定的位置。要从器件读取，请将芯片使能（CE）和输出使能（OE）设为低电平，同时将写入使能（WE）设为高电平。如果字节低使能（BLE）为低，则地址引脚指定的存储器位置中的数据出现在DQ0至DQ7上。如果字节高使能（BHE）为低，则来自存储器的数据出现在DQ8到DQ15上。
取消选择器件（CE），禁用输出（OEHIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLEHIGH）或以下操作时，输入或输出引脚（DQ0至DQ15）处于高阻抗状态写操作（CE和WELOW）。突发模式引脚（MODE）定义突发序列的顺序。当置为高电平时，选择交错的突发序列。当拉低时，选择线性突发序列。
XM8A51216是星忆存储科技公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该国产SRAM芯片具有如下几个特点：
⚫高速。具有最高访问速度10/12ns。
⚫低功耗。
⚫TTL电平兼容。
⚫全静态操作。不需要刷新和时钟电路。
⚫三态输出。
⚫字节控制功能。支持高/低字节控制。
XM8A51216功能框图
图中A0~18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15为数据线，总共16根数据线。CEn是芯片使能信号，低电平有效；OEn是输出使能信号，低电平有效；WEn是写使能信号，低电平有效；BLEn和BHEn分别是高字节控制和低字节控制信号；
XM8A51216原理图
XM8A51216在功能上等效于异步SRAM，是一种高性能8Mbit CMOS存储器，组织为512K字乘16位和1024K字乘8位，支持异步SRAM存储器接口。代理商英尚微电子支持产品相关技术支持及解决方案。
要写入设备，请将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入设为低电平。如果字节低使能（BLE）为低，则来自I/O引脚（DQ0至DQ7）的数据被写入地址引脚（A0至A18）上指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（DQ8至DQ15）的数据将写入地址引脚（A0至A18）上指定的位置。要从器件读取，请将芯片使能（CE）和输出使能（OE）设为低电平，同时将写入使能（WE）设为高电平。如果字节低使能（BLE）为低，则地址引脚指定的存储器位置中的数据出现在DQ0至DQ7上。如果字节高使能（BHE）为低，则来自存储器的数据出现在DQ8到DQ15上。
取消选择器件（CE），禁用输出（OEHIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLEHIGH）或以下操作时，输入或输出引脚（DQ0至DQ15）处于高阻抗状态写操作（CE和WELOW）。突发模式引脚（MODE）定义突发序列的顺序。当置为高电平时，选择交错的突发序列。当拉低时，选择线性突发序列。
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