[原创] 100V高性能MOS低开启低结电容开关损耗小
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 楼主 | 发布于 2020-10-15 | 只看楼主
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【MOS产品】

公司主营产品:30V、60V、100V、150V全系列SGT工艺nmos管,2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N10、25N10、30N10、35N10、40N10、20N06、25N06、30N06、40N06、50N06、60N06、2N15、8N15等

【MOS性质】

HG160N10LS N沟道

VDS=100V IDS=5A SOT23-3

HG160N10LS为中压MOS:100V,N沟道,大电流,小封装MOS,HG160N10LS实际电压可以达到100V,可以满足LED电源,充电器,小家电等需要低压,大电流,小封装的要求,HG160N10LS产品性能稳定,广泛运用于LED电源,充电器,小家电,电源,混色LED灯等电子产品

【100V高性能MOS低开启低结电容开关损耗小】

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