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50N06 60V50A N沟道MOS管 HG012N06L 稳定性能好
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【60V50A 50N06 N沟道MOS管 HG012N06L】
【HG012N06L特点】高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小
惠海半导体专业从事DC-DC中低压MOS管的设计、研发、生产与销售，惠海半导体MOS管采用沟槽工艺/SGT工艺，性能优越，品质好，具有低内阻、低结电容、低开启、低温升、转换效率高、开关损耗小、抗冲击能力强等的特点。惠海半导体MOS管应用领域：各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用。惠海半导体提供30-150V系列中低压NMOS管，厂家直销，性价比高，大量现货，技术支持。
惠海半导体中低压场效率管（MOSFET）
封装：TO-252
HG012N06L特点：高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小
【封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
【HG012N06L特点】高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小
惠海半导体专业从事DC-DC中低压MOS管的设计、研发、生产与销售，惠海半导体MOS管采用沟槽工艺/SGT工艺，性能优越，品质好，具有低内阻、低结电容、低开启、低温升、转换效率高、开关损耗小、抗冲击能力强等的特点。惠海半导体MOS管应用领域：各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用。惠海半导体提供30-150V系列中低压NMOS管，厂家直销，性价比高，大量现货，技术支持。
惠海半导体中低压场效率管（MOSFET）
MOS管型号：惠海半导体HG012N06L
MOS管参数：60V50A（50N06）
内阻：13mR（VGS=10V）
结电容：550pF
类型：SGT工艺NMOS
开启电压：1.8VMOS管参数：60V50A（50N06）
内阻：13mR（VGS=10V）
结电容：550pF
类型：SGT工艺NMOS
封装：TO-252
HG012N06L特点：高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小
【封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
【常规型号】17N06 30N06 50N06 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400
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