目前使用的2.4G射频芯片内置NVM功能SI24R2E，性能强大，发上来大家交流-融创电子社区

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动能世纪马工
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[资料] 目前使用的2.4G射频芯片内置NVM功能SI24R2E，性能强大，发上来大家交流

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楼主 | 发布于 2019-12-23 | 只看楼主

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Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片
      Si24R2E是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗有源RFID应用场合设计，集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。
   当打开启自动发射功能，内部Watchdog与内部RCOSC工作时，芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部timer定时到时，自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态，因此Si24R2E的平均功耗非常低，对于电池供电应用，可以非常容易实现五年以上的待机时间。

Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部MCU，可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为128次，芯片支持NMV加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。

Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要额外接口，外部微控制器（MCU）通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射，芯片完全兼容Si24R1发射功能，在不打开自动发射功能时，芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。

Si24R2E具有非常低的系统应用成本，可以不需要外部MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。
   主要特性

   内置128次可编程NVM存储器

   3.3V编程电压


   超低功耗自动发射功能

   内置硬件Watchdog


   内置3KHZ  RCOSC

   内置低电压自动报警功能


   超低关断功耗：0.7uA

   宽电源电压范围：1.9-3.6V


   超低待机功耗：<15uA

   数字IO电压:3.3V/5V


   发射电流（2Mbps）:13.5mA（0dBm）

   内部集成高PSRR LDO


   最高发射功率：7dBm （23mA）

   10MHz四线SPI模块


   调制方式：GFSK/FSK

   收发数据硬件中断输出


   数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps

   完全兼容Si24R2


   快速启动时间：<130uS

   完全兼容Si24R1发射功能


   低成本晶振：16MHz±60ppm

   QFN20封装或COB封装目前这款对这款芯片有点小心得，项目也开始启动量产，欢迎各路大佬给建议或者交流，马工 13823683914 企鹅 2355573217 我把这款芯片的数据手册同时把之前和大佬的交流案例发上来，供大家参考。

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