首先检查mapping，有规律、有划痕之类（是foundry的问题的可能性偏大），另外就是要看OS是在第一次测试Fail（来料问题可能性大），还是第二次测试Fail（测试问题）。之后这些信息确认了，做OBIRCH，发现亮点。首先按你想确认的，是Bumping或者晶圆工艺问题。

Bumping参考大家说的，去掉锡球再测量一下电性/IV（排查Bump连接性？）。然后再去掉PI，根据亮点位置一层一层delayer观察metal层（RDL有问题也会有亮点，OM应该能观察到吧？）。Delayer下来，除了发现烧伤，一般发现的晶圆问题都在Metal 1层 CNT连接异常或者是金属桥接（异常小可以配合SEM观察）。另外delayer是平面研磨，也可以尝试在亮点竖切（FIB）。对于bumping-特别注意的failure mode：一个是seal ring结构跟bumping 制程的window，第二要看plasma induced 的defect，第三特别注意seed layer, 第四是界面的污染和Delam。如果是EEPROM的wafer， bump x-ray inspection要控制。