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深圳大学电子科学与技术学院张秀文教授在Advanced Functional Materials(影响因子12.12,中科院JCR1区期刊)上发表题为“The Enabling Electronic Motif for Topological Insulation in ABO3 Perovskites”( DOI: 10.1002/adfm.201701266)的论文。张秀文教授为第一作者和通讯作者。
本篇论文探讨了拓扑绝缘体中的能带反转与材料稳定性的相互制约机制,提出了稳定拓扑绝缘体材料可能出现的区间,并发现压强对该拓扑性稳定区间有很大的调制作用,较小的压强就可以使材料在3电子伏特左右的能带反转下依然稳定,进一步预言了在一定压强下稳定的氧化物拓扑绝缘体。
该研究得到了国家重点研发计划重点专项(Grant No.2016YFB0700700)和深圳大学新引进教师启动等项目的资助。
研究成果链接:
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.201701266/full
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