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基本半导体：碳化硅肖特基二极管
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碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/mK)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积和重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。
产品优势
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| 零反向恢复 | 抗浪涌电流能力强 | 高温反向漏电低 | 雪崩耐量高 |
产品列表
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产品类型 |
电流规格 |
TO-220 |
TO-247-3 |
TO-247-2 |
TO-257 |
TO-252-2 |
TO-263-2 |
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650V |
标准JBS |
4A |
B1D04065K |
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B1D04065E | B1D04065F |
| 6A | B1D06065K |
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B1D06065E | B1D06065F | ||
| 8A | B1D08065K |
|
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B1D08065E | B1D08065F | ||
| 10A | B1D10065K |
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B1D10065F | ||
| 15A | B1D15065K |
|
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| 20A | B1D20065K | B1D20065HC |
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| 30A |
|
B1D30065HC |
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| 40A |
|
B1D40065HC |
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| 1200V | 标准JBS | 5A | B1D05120K |
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B1D05120E |
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| 10A | B1D10120K | B1D10120HC | B1D10120H |
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B1D10120E |
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| 15A | B1D15120K |
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| 20A | B1D20120K | B1D20120HC | B1D20120H |
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| 30A |
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B1D30120HC |
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| 40A |
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B1D40120HC |
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| 高温JBS | 5A |
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B1D05120M |
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| 10A |
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B1D10120M |
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| 20A |
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B1D20120M |
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| 1700V | 标准JBS | 5A | B1D05170K |
|
B1D05170H |
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| 10A |
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B1D10170HC | B1D10170H |
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| 20A |
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B1D20170HC | B1D20170H |
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| 高温JBS | 5A |
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B1D05170M |
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| 10A |
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B1D10170M |
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| 20A |
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B1D20170M |
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