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[分享] 3D SiC介绍
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 楼主 | 发布于 2018-09-26 | 只看楼主
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      3D外延技术(3D SiC)，能够充分利用碳化硅的材料潜力，实现更高功率和更低损耗。通过掩埋掺杂栅极，在保持碳化硅高电压性能的同时减低器件表面电场，极大的提高器件的可靠性。3D SiC技术与普通的碳化硅器件设计方案相比，可以实现更低的肖特基势垒，和更高迁移率的MOSFET设计，进一步降低损耗30%以上，实现更高效的集成器件。

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楼主 | 回复于 2018-09-26 沙发

有兴趣的可以了解下
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回复于 2018-09-26 2#

感谢分享，请点击关注我，可以查看所有我上传的资料，资料持续更新中哦。。。。
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回复于 2018-09-26 3#

谢谢分享！！！！！！！！！
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回复于 2018-09-26 4#

谢谢分享！！
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回复于 2018-09-26 5#

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回复于 2018-09-27 6#

支持下，谢谢分享！
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回复于 2018-09-30 7#

谢谢分享                
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