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Everspin授权代理1Mb串口mram芯片MR25H10CDF
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Everspin成立于2006年，是从飞思卡尔分离出来的一家半导体科技公司，以领导非易失性MRAM存储芯片为公司主导致力于非易失性存储芯片的发展，是全球唯一一家专业生产销售磁性随机存取内存(MRAM)，目前该产品已经应用于多个行业，如人工智能，金融数据等。
Everspin一款串口mram芯片，型号为MR25H10CDF，工作温度范围：-40℃to+85℃，是一款工业级别的存储芯片，可用于工控设备的应用，特别是对温度有严格要求的应用，存储容量1Mb（128Kx8），数据位宽8位。
MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写定时，没有写入延迟和无限读/写耐久性。与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在内存中随机发生，写入之间没有延迟。MR25H10是用于使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用的理想内存解决方案。封装采用5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供。两与串行EEPROM，FLASH和FERAM产品兼容。
MR25H10CDF在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40℃至+85℃）和AEC-Q100级（-40℃至+125℃）的工作温度范围选项。
MR25H10CDF特点
•没有写延迟
•无限制写耐力
•数据保留超过20年
•电源损耗的自动数据保护
•块写保护
•快速，简单的SPI接口，最高速度为40MHz时钟速率
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供Small Flag 8-DFN RoHS兼容封装
•直接更换串行EEPROM，Flash，Feram
•AEC-Q100等级1选项
MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。everspin MRAM 具有成为通用存储器的潜力,能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。MRAM 可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和太空应用。
Everspin一款串口mram芯片，型号为MR25H10CDF，工作温度范围：-40℃to+85℃，是一款工业级别的存储芯片，可用于工控设备的应用，特别是对温度有严格要求的应用，存储容量1Mb（128Kx8），数据位宽8位。
MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写定时，没有写入延迟和无限读/写耐久性。与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在内存中随机发生，写入之间没有延迟。MR25H10是用于使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用的理想内存解决方案。封装采用5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供。两与串行EEPROM，FLASH和FERAM产品兼容。
MR25H10CDF在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40℃至+85℃）和AEC-Q100级（-40℃至+125℃）的工作温度范围选项。
MR25H10CDF特点
•没有写延迟
•无限制写耐力
•数据保留超过20年
•电源损耗的自动数据保护
•块写保护
•快速，简单的SPI接口，最高速度为40MHz时钟速率
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供Small Flag 8-DFN RoHS兼容封装
•直接更换串行EEPROM，Flash，Feram
•AEC-Q100等级1选项
MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。everspin MRAM 具有成为通用存储器的潜力,能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。MRAM 可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和太空应用。
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