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Everspin代理并口mram存储器---MR1A16A
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Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAMSTT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性。完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
MR1A16A概述
MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存储器并口mram，组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据，以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR1A16A是理想的存储器解决方案。
MR1A16A提供小尺寸的48引脚（BGA）封装和44引脚薄型小外形封装（TSOP Type2）。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。MR1A16A在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商用（0至+70℃），工业（-40至+85℃），扩展（-40至+105℃）和AEC-Q1001级（-40至+125℃）工作温度范围选项。Everspin MR1A16A MRAM可替换赛普拉斯FM28V202A铁电FRAM。Everspin代理英尚微提供驱动例程等技术支持。
MR1A16A引脚配置
特征
•35ns的快速读/写周期
•SRAM兼容时序，无需重新设计即可使用现有SRAM控制器
•无限的读写耐力
•数据在超过20年的温度下保持非易失性
•一个存储器替代了系统中的Flash，SRAM，EEPROM和BBSRAM，从而实现了更简单，更高效的设计
•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案，以提高可靠性
•3.3V电源
•断电时自动数据保护
•商业，工业，扩展温度
•AEC-Q1001级选项
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度等级
•符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装
MR1A16A型号表
MR1A16A概述
MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存储器并口mram，组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据，以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR1A16A是理想的存储器解决方案。
MR1A16A提供小尺寸的48引脚（BGA）封装和44引脚薄型小外形封装（TSOP Type2）。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。MR1A16A在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商用（0至+70℃），工业（-40至+85℃），扩展（-40至+105℃）和AEC-Q1001级（-40至+125℃）工作温度范围选项。Everspin MR1A16A MRAM可替换赛普拉斯FM28V202A铁电FRAM。Everspin代理英尚微提供驱动例程等技术支持。
MR1A16A引脚配置
特征
•35ns的快速读/写周期
•SRAM兼容时序，无需重新设计即可使用现有SRAM控制器
•无限的读写耐力
•数据在超过20年的温度下保持非易失性
•一个存储器替代了系统中的Flash，SRAM，EEPROM和BBSRAM，从而实现了更简单，更高效的设计
•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案，以提高可靠性
•3.3V电源
•断电时自动数据保护
•商业，工业，扩展温度
•AEC-Q1001级选项
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度等级
•符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装
MR1A16A型号表
| Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | MOQ(pcs) / Tray |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2Mb | 128K x 16 | MR1A16AMA35 | 48-BGA | 3.3v | Commercial | 2000 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AMA35 | 48-BGA | 3.3v | Commercial | 2000 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AMA35R | 48-BGA | 3.3v | Commercial | 2000 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16ACMA35 | 48-BGA | 3.3v | Industrial | 2000 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16ACMA35R | 48-BGA | 3.3v | Industrial | 2000 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AYS35 | 44-TSOP2 | 3.3v | Commercial | 270 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Commercial | 270 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16ACYS35 | 44-TSOP2 | 3.3v | Industrial | 270 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16ACYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Industrial | 270 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AMYS35 | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AVYS35 | 44-TSOP2 | 3.3v | Extended | 270 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AVYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Extended | 270 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AVMA35 | 48-BGA | 3.3v | Extended | 2000 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AVMA35R | 48-BGA | 3.3v | Extended | 2000 |
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楼主
|
回复于 2021-05-25
2#
特征
•35ns的快速读/写周期
•SRAM兼容时序，无需重新设计即可使用现有SRAM控制器
•无限的读写耐力
•数据在超过20年的温度下保持非易失性
•一个存储器替代了系统中的Flash，SRAM，EEPROM和BBSRAM，从而实现了更简单，更高效的设计
•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案，以提高可靠性
•3.3V电源
•断电时自动数据保护
•商业，工业，扩展温度
•AEC-Q1001级选项
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度等级
•符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装
•35ns的快速读/写周期
•SRAM兼容时序，无需重新设计即可使用现有SRAM控制器
•无限的读写耐力
•数据在超过20年的温度下保持非易失性
•一个存储器替代了系统中的Flash，SRAM，EEPROM和BBSRAM，从而实现了更简单，更高效的设计
•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案，以提高可靠性
•3.3V电源
•断电时自动数据保护
•商业，工业，扩展温度
•AEC-Q1001级选项
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度等级
•符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装
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