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富士通铁电FRAM 4M Bit MB85R4002A
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富士通FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
MB85R4002A是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，由262,144字×16位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R4002A中使用的存储单元可用于1010个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。MB85R4002A使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。
引脚封装
特点
•位配置：262,144字×16位
•LB和UB数据字节控制
•读写续航力：1010次/字节
•数据保留：10年（+ 55°C），55年（+ 35°C）
•工作电源电压：3.0 V至3.6 V
•低功耗运行：工作电源电流15 mA（典型值），待机电流50μA（典型值）
•工作环境温度范围：−40°C至+ 85°C
•封装：48引脚塑料TSOP（FPT-48P-M48）
符合RoHS
非易失性存储器FRAM，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且，写入时间较通用EEPROM及闪存要短，具有写入能耗低的优点。富士通FRAM代理英尚微电子为用户提供应用解决方案等产品服务。
MB85R4002A是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，由262,144字×16位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R4002A中使用的存储单元可用于1010个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。MB85R4002A使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。
引脚封装
特点
•位配置：262,144字×16位
•LB和UB数据字节控制
•读写续航力：1010次/字节
•数据保留：10年（+ 55°C），55年（+ 35°C）
•工作电源电压：3.0 V至3.6 V
•低功耗运行：工作电源电流15 mA（典型值），待机电流50μA（典型值）
•工作环境温度范围：−40°C至+ 85°C
•封装：48引脚塑料TSOP（FPT-48P-M48）
符合RoHS
非易失性存储器FRAM，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且，写入时间较通用EEPROM及闪存要短，具有写入能耗低的优点。富士通FRAM代理英尚微电子为用户提供应用解决方案等产品服务。
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