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符合汽车行业AEC Q100规范的富士通FRAM铁电存储器解决方案
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汽车产业正经历史上最大幅度的转型。通过全新FRAM解决方案，得以支持创新公司将创意转化为实际产品。富士通推出的FRAM解决方案——MB85RS128TY和MB85RS256TY，这两款器件可在高达摄氏125度的高温环境下运作，专为汽车产业和安装有电机的工业控制机械等设计，且符合严苛的汽车行业AEC Q100标准规范。希望通过该全新产品系列拓展其汽车市场的各种应用，并支持产品创新的研发项目。
FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。由于FRAM铁电存储器属于非失去性内存，不仅能进行高速随机存取，且拥有高耐写度的特性，因此能以最佳的性能满足这类应用的需求。
富士通电子车用FRAM 产品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit两个容量。其操作电压范围为1.8~3.6V，操作温度范围为摄氏零下40~125度，这样的宽温范围符合车用市场标准及高温环境下的工业应用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高达10兆次的写入次数，采用标准SOP-8封装。英尚微电子代理商可提供样品及技术指导.
目前FRAM器件能支持如安全气囊数据储存、事故数据记录器（EDR）、电池管理系统（BMS）、汽车驾驶辅助系统（ADAS）及导航与信息娱乐系统等应用中的实时且持续的数据储存，故能降低系统复杂度并提高数据完整性。
FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。由于FRAM铁电存储器属于非失去性内存，不仅能进行高速随机存取，且拥有高耐写度的特性，因此能以最佳的性能满足这类应用的需求。
富士通电子车用FRAM 产品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit两个容量。其操作电压范围为1.8~3.6V，操作温度范围为摄氏零下40~125度，这样的宽温范围符合车用市场标准及高温环境下的工业应用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高达10兆次的写入次数，采用标准SOP-8封装。英尚微电子代理商可提供样品及技术指导.
目前FRAM器件能支持如安全气囊数据储存、事故数据记录器（EDR）、电池管理系统（BMS）、汽车驾驶辅助系统（ADAS）及导航与信息娱乐系统等应用中的实时且持续的数据储存，故能降低系统复杂度并提高数据完整性。
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回复于 2020-06-02
3#
MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高达10兆次的写入次数，采用标准SOP-8封装。英尚微电子代理商可提供样品及技术指导.
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