关于电机驱动MOS驱动电路：半桥驱动芯片自举电路各器件参数理解

1、MOS管结电容

    MOS管的电流选择电机的额定电流5到10倍以上，耐压选择1.5倍左右以上； 

    由于MOSFET的G，D，S两两之间存在寄生电容，他们的输入电容、输出电容和反向传输电容公式分别为： 

                            其中：Ciss与驱动设计有关，特别是驱动电流过小，充电时间慢 ；

                                       Coss用于设计软开关，可能引起电路的谐振 ；

                                       Crss影响开关的上升和下降时间。

2、自举电路半桥驱动芯片驱动能力选择 

    前面已经提到Ciss与驱动设计有关，驱动电流越小充电时间越慢；

    如果电机驱动功率需要比较大，要是半桥驱动能力不足，会导致输出功率上不去；

    就要选择驱动能力比较强的半桥驱动芯片；

    300mA对应大概30A（前提MOS的Ciss要比较小）。 

3、自举电容选型 

    自举电容与自举回路的充放电频率有关，频率越高，自举电容越小。

    频率主要指PWM频率，一般选择104到106之间；

    有条件的可以106并联104再并个15V稳压管。

4、自举二极管 

    电机驱动功率越大，对半桥驱动驱动能力要求越大，自举二极管的额定电流也要相应选择更大些；

    对于小功率电机驱动，选择4148即可，中功率可以选择RS1M或SS14，大功率则要选择SS34或SS54等；

     另外功率比较大的话，为了保护自举二极管，还需要串个限流电阻。

5、母线电容 

    关于温度：温度越高电容容值、耐压、寿命等都会影响；  

    电容容值：100uF对应1A上下；

    电容耐压：需要选择工作电压的1.5倍以上；

    电容内阻：尽可能的小，越小充放电时间越快；

    电容寿命：长时间工作的就要选择厂寿命电容（10000小时），成本也要上去不少。