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国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器
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XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术，在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM，具有较低功耗和低成本优势，可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容，并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以当做异步SRAM使用，称为新型国产SRAM芯片也不为过,
XM8A51216是基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）专利技术而成的新型存储器。与传统的DRAM和SRAM不同,
XM8A51216具有以下几个技术特点：
1、数据读取速率快于DRAM产品10倍，延时10ns左右；
2、容量覆盖Megabit到Gigabit；
3、可以节省40%左右的存储阵列功耗；
4、从用户端不需要考虑刷新机制，可以随时访问。
型号表：
| Density | PartNumber | BW bit | Vdd | Speed | Package |
|---|---|---|---|---|---|
| 64Mb | XM8A04M16V33A | X16 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48) |
| 64Mb | XM8A08M08V33A | X8 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48) |
| 32Mb | XM8A02M16V33A | X16 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/BGA(48) |
| 32Mb | XM8A04M08V33A | X8 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/BGA(48) |
| 16Mb | XM8A01M16V33A | X16 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/BGA(48) |
| 16Mb | XM8A02M08V33A | X8 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48) |
| 8Mb | XM8A51216V33A | X16 | 3.3V | 10/12ns | TSOP2(44)/TSOP1(48) |
| 8Mb | XM8A01M08V33A | X8 | 3.3V | 10/12ns | TSOP2(44)/TSOP1(48) |
| 4Mb | XM8A25616V33A | X16 | 3.3V | 10/12ns | TSOP2(44)/BGA(48) |
| 4Mb | XM8A51208V33A | X8 | 3.3V | 10/12ns | TSOP2(44)/BGA(48) |
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