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请告知对以下内存操作的周期数:1)内置数据RAM(D总线) 2)内置指令RAM(F总线)。在下列条件下,与读写内部数据RAM/内部指令RAM相比,读取外部存储器需要多少时间?( 针对:FR60/FR60lite)
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回答:
就FR60/FR60lite而言,从在存储阶段执行存取到真正读取之间的存取周期数是指
- 内置数据RAM(D总线):一个周期
- 内置指令RAM(F总线):两个周期
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R-总线系列:
大约8个时钟周期(CLKB:CLKP=1.1)
大约13个时钟周期(CLKB:CLKP=1:1/2) -
T-总线系列:
大约8个时钟周期(CLKB:CLKP=1.1)
大约13个时钟周期(CLKB:CLKP=1:1/2)
指令高速缓冲存储器控制(Harvard总线连接模式):一个时钟周期
当内部ROM和RAM被存取的时候,ADDR,RD和WR0/WR1是否会被输出? 这些控制信号只在外部区域被存取时才被输出吗?(针对:MB91F155A)
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回答:
对ADDR信号来说,前次外部总线存取的地址信号被保留,并连续输出。CS信号也被输出。但是RD 和 WR0/WR1都不被输出。
外部总线周期是由多少CPU周期组成的?(针对:MB91360)
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回答:
一个外部总线周期(不包括等待信号)通常需要四个CPU周期(总线转换*两个周期+外部总线接口数*两个周期=四个周期)。
我们想将程序放在外部闪存中。和放在内部存储中相比,性能会下降多少?(针对:MB91350)
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回答:
这个问题的回答很大程度上取决于指令,但可使用内部:外部=1:3作为参考。
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