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[资料] 英飞凌2500W图腾杆全桥功率因数校正演示板操作教程
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 楼主 | 发布于 2019-06-30 | 只看楼主
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这是一个应用说明,专用于英飞凌的2500瓦图腾杆全桥功率因数校正(PFC)演示板,包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器,以及1EDI高压MOSFET驱动程序。

 

这个演示板展示了一个高效的PFC阶段,它利用Infineon的CoolGantm技术的优势,将系统效率提高到99%以上,用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。

 

增强模式(E模式)氮化镓(GaN)半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷,GaN是一种宽带隙(WBG)材料。因此,这项技术使功率级的新拓扑成为可能,而目前的高压超结(SJ)功率半导体无法解决这一问题。基于这些特性,图腾柱pfc拓扑是利用Infineon的CoolGantm技术优势的完美匹配。

 

我们的演示板显示了高达2500瓦的可靠运行,基准效率为99.2%。要实现这一点,只需要两个分立的70 MΩCoolGantm开关和两个分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金开关。所有的动力部件都是表面安装设备(SMD),能够实现更快、更便宜的组装过程。该控制采用英飞凌标准的ICE3连续导通模式(CCM)控制芯片实现。PWM开关频率设置为65 kHz。

 

这个演示板展示了一个高效的PFC阶段,它利用Infineon的CoolGantm技术的优势,将系统效率提高到99%以上,用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。

 

增强模式(E模式)氮化镓(GaN)半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷,GaN是一种宽带隙(WBG)材料。因此,这项技术使功率级的新拓扑成为可能,而目前的高压超结(SJ)功率半导体无法解决这一问题。基于这些特性,图腾柱pfc拓扑是利用Infineon的CoolGantm技术优势的完美匹配。

 

我们的演示板显示了高达2500瓦的可靠运行,基准效率为99.2%。要实现这一点,只需要两个分立的70 MΩCoolGantm开关和两个分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金开关。所有的动力部件都是表面安装设备(SMD),能够实现更快、更便宜的组装过程。该控制采用英飞凌标准的ICE3连续导通模式(CCM)控制芯片实现。PWM开关频率设置为65 kHz。

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楼主 | 回复于 2019-06-30 沙发

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回复于 2019-07-01 2#

感谢分享!!!
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回复于 2019-07-02 3#

谢谢分享
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回复于 2019-07-03 4#

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回复于 2019-09-26 5#

mark
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回复于 2020-02-03 6#

谢谢分享
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回复于 2022-01-18 7#

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