IGBT一种是功率半导体器件,用于电力转换、变频,相当于电力电子领域的“CPU”。融合了 BJT和 MOSFET的性能优势,具有高耐压,大电流,低导通损耗等特点。
随着技术的升级,芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小,器件耐压值由600V升至 7000V。其主要应用包括传统的工业控制和家电, 以及新兴的电动汽车、新能源发电等领域;
IGBT测试难点:
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。
功率器件IGBT静态测试系统简介
功率器件IGBT静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。
普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。
产品特点
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高电压:支持高达3KV高电压测试;
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大电流:支持高达4KA大电流测试;
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高精度:支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量;
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丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
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配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
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数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
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模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
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可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
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可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;
技术指标
PMST系统配置 |
关键参数 |
备注 |
P系列 |
PW高达30V/10A、300V/1A |
栅极特性测试 |
CW高达300V/0.1A、30V/1A |
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最小脉冲宽度200uS |
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HCP系列 |
PW高达30V/100A |
IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试 |
CW高达10V/30A |
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最小分辨率30uV/10pA |
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最小脉冲宽度80uS |
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HCPL系列 |
单台PW高达12V/1000A,可多台并联 |
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最小脉冲宽度50uS |
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E系列 |
CW高达3000V/100mA |
IGBT击穿电压测试 |
最小分辨率10mV/100pA |
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测量精度 0.1% |
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电桥 |
频率范围:20Hz~1MHz |
IGBT各级间电容测试 |
HVP系列提供0~400V直流偏置电压 |
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预置偏置电阻100kΩ |
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矩阵开关 |
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电路切换及源表切换 |
主机 |
/ |
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测试夹具 |
根据器件封装形式定制 |
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功率器件IGBT静态测试系统应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;
块
导
航
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