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介绍LN2312LT1G N沟道增强型MOSFET
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介绍LN2312LT1G N沟道增强型MOSFET
型号：LN2312LT1G
批号：1721+
封装：SOT-23
V DS = 20V
R DS（ON），Vgs @ 4.5V，Ids @ 5.0A =41mΩ
R DS（ON），Vgs @ 2.5V，Ids @ 4.5A = 47m
特征
先进的沟槽工艺技术
用于超低导通电阻的高密度电池设计
S- 汽车和其他需要的应用的前缀
独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101
合格且具备 PPAP 能力
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