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富士通FRAM三大优势直击热门应用领域
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存储设备（主要指存储数据的半导体产品）通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时消失，如DRAM。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会消失，这意味着数据一旦被写入，只要不进行擦除或重写，数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。
经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破，富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域，医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域、胎压监测及新能源汽车电池管理系统等汽车领域等等，涉及的应用超过200种，几乎覆盖所有主要领域！
当前的富士通FRAM主要具备三大优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM写入次数寿命高达10万亿次，而EEPROM仅有百万次(10^6)。富士通FRAM写入数据可在150ns内完成，速度约为EEPROM的1/30,000。写入一个字节数据的功耗仅为150nJ，约为EEPROM的1/400，在电池供电应用中具有巨大的优势。
相比EEPROM或SRAM
FRAM方案可以轻松解决以下问题：
1）需要更频繁地记录数据，但受限于内存规格
2）在写入数据时需要保护数据，以防止突然停电
3）需要采用无电池解决方案
经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破，富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域，医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域、胎压监测及新能源汽车电池管理系统等汽车领域等等，涉及的应用超过200种，几乎覆盖所有主要领域！
当前的富士通FRAM主要具备三大优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM写入次数寿命高达10万亿次，而EEPROM仅有百万次(10^6)。富士通FRAM写入数据可在150ns内完成，速度约为EEPROM的1/30,000。写入一个字节数据的功耗仅为150nJ，约为EEPROM的1/400，在电池供电应用中具有巨大的优势。
相比EEPROM或SRAM
FRAM方案可以轻松解决以下问题：
1）需要更频繁地记录数据，但受限于内存规格
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3）需要采用无电池解决方案
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