MOSFET—用场管做电池防反接保护电路（很好用的电路） -融创电子社区

首页论坛嵌入式软件专区 ARM/单片机 MOSFET—用场管做电池防反接保护电路（很好用的电路）

发帖

乡下菜农
792 发帖

6479 回复

11626 积分
私信他 + 关注

[转载] MOSFET—用场管做电池防反接保护电路（很好用的电路）

4799 查看

10 回复

楼主 | 发布于 2018-02-22 | 只看楼主

分享到：

防止电池安装的时候接反，在电池供电的地方以前有两种做法：

1）在电路中串一只整流二极管，利用单向导通的原理，实现反接断开。

2）第二种法门是在电源中串一桥式整流电路，所谓的智能自动极性纠错。也就是，不管用户电池如何接，电路一样能工作。这个电路我最先看到的应用是电话机中的“防极性反接”电路，电话的接线是有+/-极的，那么安装时识别两个极性是件出力不讨好的麻烦事，所以就出现了防反接电路，现在就被聪明的人举一反三地用在了电池极性防反接上，是件功能无量的事情！

但这两个电路都有一个共同的毛病，那就是：有电压损失.在大电流电有1伏左右的电压降。这个缺点在对电压损失十分在意的电路中是不能容忍的。后来，也就是现在，聪明的鬼佬（外国人）发明了新的器件-功率场管——大功率的用电场作为控制量的三极管！这种管子现在用得很流行，我常用于对电源的开关控制的地方，很好用！这种管子的符号画法很是烦人，还不好记住哩！下面是些这类管子的基本常识，作为备忘：

1）这类管有两大类，即P沟与N沟：P沟与以前用的PNP三极管相对应，它是负电平触发有效！用一种演义的说法是：他的基极与发射极的电压是负电压，也就是基极电位比发射极低才是正常工作的天理！N沟道与我们以前用的NPN三极管相呼应，如跟8050相呼应，是正电平控制的，也就是说，基极对发射极是个正电位才是工作的条件！打死你也不能弄错！

2）符号：箭头朝内面画的是N沟道，箭头朝外的P沟道！

3）场管的导通电阻是很小很小的，与普通的三极管不在一个数量级上，它有一个指标叫通态电阻RDS，就是源极S与漏极D的导通电阻之谓，一般这个值的大小在0.0几欧与0.00几欧中选择！

4）如手头用的一些型号的管子的参数：N沟的SI2313/S2306/2N7002/IRF1010等，其中IRF1010的导通电阻只有0.004欧！

P沟的有：NTR4101P /SI2301/CES2301/等等，其中CES2301的通阻为80-100毫欧！

5)在一些对电源进行开关控制的地方，我都用场管，因为他的压降只有0.0几不到0。1伏的压降

6）场管为什么可以祼接：“祼接”就是各个极不要电阻进行偏置，就直祼祼的接在电源中，它神奇的是居然还烧不死！为什么呢？因为场管不是电流控制开型的，它是用电场力控制电子的流向与数量的，与磁场控制相呼应和比拟！

7）我贴图出来吧；不明白的话请发联络！