首页 论坛 原厂专区 NXP(freescale) MCU 【经验分享】IAR编译环境禁用NMI（不可屏蔽中断）
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Kinetis芯片的不可屏蔽中断引脚NMI_b在电路设计时被作为GPIO与外部设备连接了。调试程序时才发现：哪怕通过引脚复选功能切换位（Pin Mux Control）将该引脚配置成GPIO功能，该引脚上的低电平还是会导致程序进入不可屏蔽中断，而这与当初把这NMI_b引脚作为GPIO的设计初衷不符。所以想寻找是否有这种 不改变硬件电路，仅通过软件程序禁用NMI功能 的可能？
解决方法：
以KL25芯片为例打开参考手册KL25P80M48SF0RM，通过“6.3.2 FOPT boot options”（图1、图2）我们可以看到：只读寄存器FTFA_FOPT的NMI_DIS位显示NMI功能是否使能，而这个FTFA_FOPT寄存器的值在系统启动时会从flash configuration field的NVM's option byte处加载。
根据提示再查看“27.3.1 Flash Configuration Field Description”（图3）：Flash Configuration Field Byte Address为0x0040D处对应的1个字节就是之前提到的Flash nonvolatile option byte。
那么若想禁用NMI_b引脚上的不可屏蔽中断功能，就需要将Flash Configuration Field处0x40D地址Bit 2的值改为0。
图1
图2
图3
操作步骤：
以下将演示IAR6.6编译环境中禁用KL25芯片NMI功能的操作步骤。此处将以KL25_SC例程包中E:\KL25 Sample Code\kl25_sc_rev10\klxx-sc-baremetal\build\iar\platinum工程演示。
1.使用IAR6.6编译环境打开该platinum工程，在cpu文件夹下的vectors.h中找到CONFIG_4定义段并将0x40D处值修改为0xfb；
由于IAR 6.6 为了防止用户在使用Kinetis过程中误操作导致芯片被锁死，默认将加密位Disable了。在烧录Flash的时候设了最后一道闸门，即将0x40C -0x40F的值统一成0xfffffffe (解密模式)。 而我们要修改的0x40D刚好因此被保护，故还需要修改Flash Loader配置。
2. 打开IAR的Options配置框，选择Debugger的Download 标签，勾选如下图所示的选项，可以看到此项目中对应的.board文件。点击Edit按钮；
3. 在弹出的Flash Loader Overview对话框中选择0x0-0x1ffff对应条目，点击Edit按钮；
4. 在Flash Loader Configuration对话框中的Extra Parameters 项目中填写
“--enable_config_write” 它意味着打开了在烧录Flash的时候设置的最后一道闸门，使能了用户对字段“0x40C -0x40F”的配置。关于此参数选项含义，可以查看下面框中Parameter descriptions的描述；
5.选择OK 后回到上级对话框，如下图可以看到“--enable_config_write”作为一个Extra Parameters显示出来；
6.选择OK回到上层对话框，不用担心OK后修改的配置会替换Flash Loader中的默认配置，因为系统会自动保存刚才的修改到一个新的board文件，并存储到当前工程的文件目录中；
7.选择Save保存后，再点击OK，然后开始下载。
8.在Debug时的Memory窗口中找到0x40D地址处，也能够看到该处值已经被修改成了0xfb（即已经禁用了NMI不可屏蔽中断功能）。
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