MOS管电压型静电击穿特点-融创电子社区

首页论坛芯片产品和产业北京交通大学 MOS管电压型静电击穿特点

发帖

禄麒通
240 发帖

557 回复

3401 积分
私信他 + 关注

[分享] MOS管电压型静电击穿特点

336 查看

6 回复

楼主 | 发布于 2019-07-31 | 只看楼主

分享到：

其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，电压型及功率型。飞虹MOS管厂家今天要分享的电压型静电击穿的特点。

电压型击穿，即MOS管栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路，它的特点是：

（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐步增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。另一方面，耗尽层展宽大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。

（2）穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时，此时源端的载流子注入到耗尽层中，被耗尽层中的电场加速达到漏端，因此，穿通击穿的电流也有急剧增大点，这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同，这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流，而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流，如不作限流，雪崩击穿的电流要大。