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锐骏RU30D20M3双N沟道高级功率MOSFET
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特征：
30V/20A，
Rps(ON)=8.5mQ(类型)@VGs=10V
RDs(ON) =11.5mQ(典型值。)@VGs=4.5V
使用Ruichips先进的TrenchTM技术
优秀QgxRDs(on)产品(FOM)
可靠耐用
100%雪崩测试
提供无铅绿色设备(符合RoHS标准)
应用程序：
切换应用系统
服务器的板载电源
同步整流
基本参数：
漏极电压:30V
栅极电源：+20V
储存范围温度：-55°到150°
二极管连续正向电流：20A
300us脉冲漏电测试：80A
二极管正向电压：Isd=20V,VGs=V0
漏源导通电阻：VGS=10V，IDS=10A，VGS=4.5A，IDS=8A
30V/20A，
Rps(ON)=8.5mQ(类型)@VGs=10V
RDs(ON) =11.5mQ(典型值。)@VGs=4.5V
使用Ruichips先进的TrenchTM技术
优秀QgxRDs(on)产品(FOM)
可靠耐用
100%雪崩测试
提供无铅绿色设备(符合RoHS标准)
应用程序：
切换应用系统
服务器的板载电源
同步整流
基本参数：
漏极电压:30V
栅极电源：+20V
储存范围温度：-55°到150°
二极管连续正向电流：20A
300us脉冲漏电测试：80A
二极管正向电压：Isd=20V,VGs=V0
漏源导通电阻：VGS=10V，IDS=10A，VGS=4.5A，IDS=8A
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