很多硬件工程师用国产替代ST的STM芯片，都不看芯片手册，按照ST的经验直接就套用，发现不顺的时候，立马就抱怨国产芯片不行，但凡他仔细读一下pdf，也不应该把锅甩芯片上啊！比如兆易的GD32F103X系列性能不比STM32F103差，自己的错别赖芯片。
他们也不看看GD的最高频率是108M，一个24LC02读写失败就说这GD的芯片不稳定！

这里我大概总结了一下这两者之间的细微差别：

第一.外围硬件区别
电压范围（ADC）：
GD32F：2.6-3.6V
STM32F：2.0-3.6V（外部电压）
GD32F： 1.2V（内核电压）
STM32F： 1.8V（内核电压）
BOOT 0 管脚：
Flash 程序运行时，BOOT0 在 STM32 上可悬空，GD32 必须外 部下拉（从 FLASH 运行，BOOT0 必须下拉GND）
ESD 参数：

STM32 人体模式 2KV,空气模式 500V GD32 人体模式 4KV(内测 5KV),空气模式 10KV(内测 15KV)

第二.内部结构差异
启动时间： GD32 启动时间相同，由于 GD 运行稍快，需要延长上电时间 配置(2ms)
主频时钟： GD32F10 系列主频 108MHZ STM32F10 系列主频 72MHZ
Flash 擦除时间： GD32 是 60ms/page，STM 30ms/page
FLASH 容量： GD32 最大容量 3M Byte
SRAM 空间： GD32F103 系列、GD32F105\107 大容量系列 SRAM 96K

VB 外扩总线 FSMC：GD32 100PIN 配置总线输出，STM32 144PIN 并且 256k 以上 才配置总线输出

第三.功耗区别(以128k以下容量的作为案例)
睡眠模式 Sleep： GD32F： 12.4mA STM32F10X： 7.5mA
深度睡眠模式 Deep Sleep： GD32F： 1.4mA STM32F10X： 24uA
待机模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA

运行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M

第四.内部 FLASH 区别
ISP： 擦写时间同 STM32 有差异，使用新版 ISP 软件
IAP： 擦写时间相同，按字写入，按页擦除
存储寿命： 10 万次擦写，数据保存 20 年以上
加密特性： 除了常规的禁止读出和 96 位 ID 号码加密之外，GD32 数据写入 Flash 时，具有存储逻辑地址连续，物理地址不连续的特性。
注意这些细节，软件设计，硬件设计做出来的东西才稳定可靠。在一款自研发的光纤收发器里得到了验证，汇总生产报表，生产良率达到了99.89%，10万个有100多个不良，与当初用STM32设计的方案良率相当，单是MCU芯片方面原因不良的部分比STM32的方案还好一些（不是说STM32不好，只是这个项目是这样）。
支持国产！