分享到:
描述
CS16N65FA9R-G,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。
特征
•快速切换
•低导通电阻(Rdson≤0.56Ω)
•低栅极电荷(典型数据:50.5oC)
•低反向转移电容(典型值:10.4pF)
•100%单脉冲雪崩能量测试
•无卤素
应用
适配器和充电器的电源开关电路
(0 )
(0 )
回复
举报
楼主 | 回复于 2022-11-24 沙发
相应方案的应用及元器件供应事宜,请联系 深圳市光华创新科技有限公司 销售部
陈先生
WeChat:19168538202(手机同号)
TEL:0755-8271-1345
QQ:2355284756
E-mail: cs01kwanghua1@kwanghua.cn
陈先生
WeChat:19168538202(手机同号)
TEL:0755-8271-1345
QQ:2355284756
E-mail: cs01kwanghua1@kwanghua.cn
(0 )
发表回复
块
导
航
举报
请选择举报类别
- 广告垃圾
- 违规内容
- 恶意灌水
- 重复发帖