关键特性

*SX1262 IP授权+Arm Cortex M4内核* 晶圆内部通过SPI通信

频率范围：150MHz~960MHz

最大功率+22 dBm射频输出

高灵敏度：-148 dBm

支持Class A/B/C/AliWAN协议

在LoRa调制模式下可编程比特率高达62.5 Kbps

在(G)FSK调制模式下可编程比特率高达300 Kbps

前导码检测

嵌入式内存(高达256 KB的闪存和64 KB的SRAM)

32.768千赫外部手表晶体振荡器

射频收发器用32Mhz外部晶体振荡器

SoC用24 MHz外部晶体振荡器(可选)

内置4mhz RC振荡器

嵌入式内部高频(48mhz)RC振荡器

嵌入式内部低频(32.768 KHz)RC振荡器

嵌入式内部锁相环产生48兆赫时钟

多达42个可配置GPIO:3 x I2C、1 x I2S、4 x UART、1 x LPUART、1 x SWD、3 x SPI，1 x QSPI和2 x WDG

4 x GPTImer、2 x Basic TImer、2 x LP TImer和1 x Sys TIcker

48兆赫ARM Cortex-M4 CPU

4通道DMA引擎x 2

嵌入式12位1 Msps SAR ADC

嵌入式12位DAC

嵌入式3 x OPA

嵌入式2 x低功耗比较器

嵌入式LCD驱动程序

嵌入式LD、TD、VD和FD

支持AES、DES、RSA、ECC、SHA和SM2/3/4

封装：QFN48，6 mm x 6 mm(ASR6601CB) GPIO 26个

QFN68，8 mm x 8 mm(ASR6601SE) GPIO 42个

ASR6601SE测试板

可以使用KEIL开发，也可以使用Makefile的方式进行编译烧录。

关于ASR6601硬件开发注意事项

VREG这个管脚必须要外部连接，否则LoRa这部分不能正常工作。

参考设计中Buck电路中电感15uH必须用功率电感，VR_PA处的56nH偏置电感强烈建议选用0402高Q系数电感，ESR越小，越利于提升TX功率。

ASR6601复位电路在模组设计中无需添加，主要是模组在整板使用上需要格外注意RC电路外挂电容取值范围，避免不必要的风险。

ASR6601同时支持SWD&串口两种烧录方式，可自行选择烧录模式。

方案TX功率需求小于14dbm时，可以选择VREG直接给VDD_IN供电，提高效能。