世微宽电压 9-100V 2.6A 降压恒流驱动IC LED车灯方案-融创电子社区

首页论坛芯片产品和产业汽车芯片世微宽电压 9-100V 2.6A 降压恒流驱动IC LED车灯方案

发帖

SW18923706103
250 发帖

0 回复

1455 积分
私信他 + 关注

[原创] 世微宽电压 9-100V 2.6A 降压恒流驱动IC LED车灯方案

385 查看

0 回复

楼主 | 发布于 2023-01-04 | 只看楼主

分享到：

应用信息

◆输出电流

输出电流由芯片内部的误差放大器采样并且和内部的基准电压进行比较以及误差放大，从而实现系统的恒流控制，输出电流公式如下: Iout=176mV/RCS

◆芯片工作

系统上电后通过启动电阻对连接于电源引脚 VDD 的电容充电，当电源电压高于 3.4V 后，芯片电路开始工作，直到 VDD 端口电压稳定达到钳位电压 5.4V 左右，芯片的供电电流主要有 VDD 端口接入的电阻 RVDD 提供。

◆电感选择

为了确保恒流精度，需要选择合适的电感，使得电感工作在连续电流模式，电感的临界值为：为保证系统的输出恒流特性，应用当中电感值的选择要大于 LBCM ，电感电流应工作在连续模式。

◆MODE 设置

功能 MODE

全亮悬空

半亮 VDD

◆过温保护

芯片内置了智能过温保护电路，随着温度的升高，逐渐降低输出电流，既能防止温度过高烧毁电路，又能防止突然关闭电流引起照明异常。

◆续流二极管

注意续流二极管的额定平均电流应大于流过二极管的平均电流。平均电流计算公式如下：

注意，二极管应具有承受反向峰值电压的能力。建议选择反向额定电压大于 VIN 的二极管。为了提高效率，建议选择快恢复的肖特基二极管。

◆VDD 供电电阻

芯片主要是通过一个供电电阻 RVDD 到芯片 VDD 提供芯片的工作电流，通常情况下，VDD 满足

VDD  VIN  I D  RVDD

公式中可以看出，RVDD 过大会导致系统供电不足，过小则会导致功耗过大、芯片过热。IVDD 典型值取 2mA。如果 MOS 管的输入电容较大时，芯片工作电流会增大，相应地应减小供电电阻取值。

◆VDD 旁路电容

VDD 引脚需要并联一个 0.47uF 以上的旁路电容。 PCB 布板的时候 VDD 电容需要紧挨着端口布局。

◆MOS 管选择

MOS 管耐压选择要高于输入电压的 1.2 倍以上； MOS 管电流 IDS 选择一般要求是电感最大峰值电流的 2 倍以上。MOS 管的导通电阻 RDSON 越小，损耗在 MOS 管上的功率也越小，系统转换的效率越高。MOS 管阈值电压 VGS 要选择较低的阈值电压值，芯片的电源工作电压决定了 DRV 驱动电压，通常芯片的驱动电压为 5.4V，所以要保证 MOS 管在 VGS 等于 5.4V 时能完全导通。

◆PCB 设计注意事项

1：芯片 SW 端与续流二极管、功率电感的布线覆铜尽可能长度短、线宽大。 2：芯片 SW 端与 CS 检流电阻的布线覆铜，CS 检流电阻与输入电容 GND 的布线覆铜，都应尽可能长度短、线宽大。 3：芯片的 VDD 电容靠近芯片布局，VDD 电容的 GND 端与 CS 检流电阻 GND 端保持单点连接。 4：系统的输入电容尽可能靠近 AP5125 系统布局，保证输入电容达到最好的滤波效果。

电源芯片特点

◆ 宽输入电压范围：9V～100V

◆ 固定工作频率：140KHZ

◆ 可设定电流范围：10mA～6000mA

◆ 内置抖频电路，降低对其他设备的 EMI 干扰

◆ 平均电流模式采样，恒流精度更高

◆ CS 电压：176mV

◆ 输出短路保护

◆ 过温保护

◆ 功能模式：全亮/半亮

◆ 内置稳压管

◆ SOT23-6 封装