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新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE0117K
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NCE0117K采用先进的沟槽技术和设计，以较低的栅极电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
总体特点
●VDS = 100V, ID = 17A
RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V (Typ:56mΩ)
RDS(ON) < 85mΩ @ VGS =4.5V (Typ:65mΩ)
●高密度电池设计，超低RDS(ON)
●全特性雪崩电压和电流
●稳定性好，均匀性好，EAS高
●优良的包装，散热性好
●特殊工艺技术，防静电能力强
应用
●电源开关应用
●硬切换和高频电路
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