[资料] 新洁能12-200V N沟道MOSFET
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 楼主 | 发布于 2022-11-29 | 只看楼主
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NCE0224K NCE3050K NCE6020AI NCE0130A NCE0157A2

以上系列型号是新洁能12-200V N沟道MOSFET

描述

采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供优良的RDSON。它们可以用于各种各样的应用。

总体特点

●高密度电池设计,超低RDSON

●全特性雪崩电压和电流

●稳定性好,均匀性好,EAS

●优良的包装,散热性好

●特殊工艺技术,防静电能力强

应用

●电源开关应用

●硬切换和高频电路

●不间断电源

 

NCE0224K(封装 TO-252): VDS = 200V, ID= 24A

RDSON < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:64mΩ)

 

NCE3050K(封装TO-252-2L: VDS = 30V, ID = 50A

RDSON < 11mΩ @ VGS =10V (Typ:8mΩ)

RDSON < 16mΩ @ VGS =4.5V (Typ:10mΩ)

 

NCE6020AI (封装TO-252-2L: VDS = 60V, ID = 20A

RDSON <25mΩ @ VGS =10V

RDSON <31mΩ @ VGS =4.5V

 

NCE0130A(封装TO-220-3L: VDS = 100V, ID = 30A

RDSON < 32mΩ @ VGS =10V (Typ:25mΩ)

 

NCE0157A2(封装TO-220-3L: VDS = 100V, ID = 57A

RDSON < 14.5mΩ @ VGS =10V (Typ:12.5mΩ)


原理图

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