[原创] 华润华晶CS8N70FA9R-G
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 楼主 | 发布于 2022-11-29 | 只看楼主
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       CS8N70FA9R-G,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。

 

特征

快速切换

低导通电阻(Rdson≤1.15Ω)

低栅极电荷(典型数据:27nC)

低反向传输电容(典型值:4.7pF)

100%单脉冲雪崩能量测试

无卤素

 

应用

适配器和充电器的电源开关电路。

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楼主 | 回复于 2022-11-29 沙发

相应方案的应用及元器件供应事宜,请联系 深圳市光华创新科技有限公司 销售部
陈先生  
WeChat:19168538202(手机同号)   
TEL:0755-8271-1345
QQ:2355284756          
E-mail: cs01kwanghua1@kwanghua.cn
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