[原创] 华润华晶CS4N65A3R-G
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 楼主 | 发布于 2022-11-26 | 只看楼主
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描述

CS4N65A3R-G,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-251,符合RoHS标准。

 

特征

快速切换

低导通电阻(Rdson≤2.8Ω)

低栅极电荷(典型数据:14.5nC)

低反向传输电容(典型值:3.5pF)

100%单脉冲雪崩能量测试

无卤素

 

应用

适配器和充电器的电源开关电路。

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