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[原创] 华润华晶CS45N06A4
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 楼主 | 发布于 2022-11-26 | 只看楼主
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描述

CS45N06A4是硅N沟道增强型VDMOSFET，通过高密度沟槽技术获得，可降低传导损耗、提高开关性能和增强雪崩能量。该设备适合用作负载开关和PWM应用。包装形式为TO-252，符合RoHS标准。

 

特点

快速切换

低导通电阻（Rdson≤16米Ω)

低栅极电荷

低反向转移电容

100%单脉冲雪崩能量测试

 

应用

适配器和充电器的电源开关电路

LED背光驱动器

同步校正

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