[资料] 华润华晶CS2N65A3R-G
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 楼主 | 发布于 2022-11-25 | 只看楼主
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描述

      CS2N65A3R-G,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-251,符合RoHS标准。


特征

快速切换

低导通电阻(Rdson≤5.Ω)

低栅极电荷(典型数据:9.5nC)

低反向转移电容(典型值:3pF)

l100%单脉冲雪崩能量测试

无卤素

 

应用

适配器和充电器的电源开关电路。

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楼主 | 回复于 2022-11-25 沙发

相应方案的应用及元器件供应事宜,请联系 深圳市光华创新科技有限公司 销售部
陈先生
WeChat:19168538207(手机同号)
TEL:0755-8271-1345
QQ:2355284752
E-mail: cs01kwanghua1@kwanghua.cn

编辑于 2024-03-14

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楼主 | 回复于 2024-03-14 2#

相应方案的应用及元器件供应事宜,请联系 深圳市光华创新科技有限公司 销售部
陈先生  
WeChat:19168538207(手机同号)   
TEL:0755-8301-3948
QQ:2355284752        
E-mail: cs01kwanghua1@kwanghua.cn
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